晶點(dian)(dian)來自兩(liang)個方(fang)面：(1)由聚合(he)工藝(yi)所造成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)晶點(dian)(dian);不同(tong)的(de)(de)(de)聚合(he)設備(bei)及工藝(yi)，對晶點(dian)(dian)的(de)(de)(de)生成(cheng)(cheng)有不同(tong)的(de)(de)(de)影響。例如：一(yi)些名廠原料(liao)(liao)，因生產(chan)技術(shu)高，聚合(he)物中殘留的(de)(de)(de)催化劑含量低，設備(bei)結構(gou)好，因此(ci)，原料(liao)(liao)本身所含的(de)(de)(de)晶點(dian)(dian)少，但一(yi)些品質(zhi)較差的(de)(de)(de)原料(liao)(liao)，因生產(chan)技術(shu)及設備(bei)問題，造成(cheng)(cheng)原料(liao)(liao)本身所含的(de)(de)(de)晶點(dian)(dian)多(duo)。(2)由吹膜工藝(yi)所造成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)晶點(dian)(dian)。