晶點(dian)來自兩(liang)個方面(mian)：(1)由(you)(you)聚合(he)工藝所(suo)造成的(de)(de)(de)(de)晶點(dian);不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)(de)聚合(he)設備及工藝，對晶點(dian)的(de)(de)(de)(de)生成有(you)不(bu)(bu)同的(de)(de)(de)(de)影響。例如：一些名廠原(yuan)料(liao)(liao)，因(yin)生產技術高，聚合(he)物中殘留的(de)(de)(de)(de)催化劑含(han)量低，設備結構好，因(yin)此，原(yuan)料(liao)(liao)本身所(suo)含(han)的(de)(de)(de)(de)晶點(dian)少，但(dan)一些品質較(jiao)差的(de)(de)(de)(de)原(yuan)料(liao)(liao)，因(yin)生產技術及設備問題，造成原(yuan)料(liao)(liao)本身所(suo)含(han)的(de)(de)(de)(de)晶點(dian)多。(2)由(you)(you)吹膜工藝所(suo)造成的(de)(de)(de)(de)晶點(dian)。